UAES і ROHM проводять церемонію відкриття спільної лабораторії з технології SiC
Кіото, Японія та Санта-Клара, Каліфорнія, 14 грудня 2020 р. (GLOBE NEWSWIRE) – ROHM спільно з китайським виробником автомобілів Tier 1 United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. (UAES) нещодавно провели церемонію відкриття, на якій оголосили про створення спільної лабораторії з технології SiC в штаб-квартирі UAES в Шанхаї, Китай.
Силові пристрої з SiC все частіше застосовуються в галузі електромобілів, інфраструктури, навколишнього середовища/енергетики та промислового обладнання. Це значною мірою пов’язано з перевагами, які вони надають перед силовими пристроями на основі кремнію, такими як IGBT, включаючи суттєве зниження втрат під час перемикання та провідності, а також підтримку роботи при вищих температурах.
З 2015 року UAES і ROHM співпрацюють і здійснюють детальний технічний обмін щодо автомобільних додатків, які використовують пристрої живлення з SiC. Після кількох років технічного обміну на початку цього року були випущені автомобільні продукти, що містять пристрої живлення ROHM SiC.
Нова спільна лабораторія містить важливе обладнання, необхідне для оцінки пристроїв і застосувань в автомобілебудуванні, наприклад, бортові зарядні пристрої та перетворювачі DC/DC. Це дозволить ROHM і UAES зміцнити своє партнерство та прискорити розробку інноваційних енергетичних рішень, зосереджених на SiC.
Пан Гуо Сяолу, заступник генерального директора United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., «З ROHM, яка впроваджує пристрої живлення з SiC з 2015 року, ми зміцнили нашу співпрацю, включаючи топ-менеджмент. І після багатьох років технічного обміну, ми раді оголосити про успішну розробку та масове виробництво обладнаних SiC автомобільних програм цього року. Створення цієї спільної лабораторії є свідченням поглиблення відносин між нашими двома компаніями, і ми можемо сподіватися на подальшу технічну підтримку через цей новий комплексний об’єкт».
Доктор Казухіде Іно, CSO та старший директор відділу силових пристроїв ROHM Co., Ltd., «Ми раді заснувати спільну лабораторію з UAES, провідним виробником автомобільних додатків. Як провідний постачальник силових пристроїв із SiC, ROHM розробляє провідні в галузі пристрої та має підтверджену історію надання рішень для живлення, які поєднують периферійні компоненти, такі як мікросхеми драйверів. У швидко зростаючому автомобільному секторі, оскільки дослідження, спрямовані на потреби клієнтів і ринкові тенденції, стають важливим фактором, ми продовжуватимемо зміцнювати наше партнерство через цю спільну дослідницьку лабораторію та сприяти технічним інноваціям в автомобільному секторі за допомогою рішень для енергетики, зосереджених на SiC».
Про UAES (United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.)
UAES, комплексний виробник автомобілів Tier 1, був створений як спільне підприємство Робертом Бошем і Zhonglian Automobile Electronics Systems Co., Ltd. (китайська компанія, афілійована з SAIC). Заснована в 1995 році, вона з тих пір завоювала значну частку на китайському ринку блоків керування двигунами та систем трансмісії для транспортних засобів, що працюють на газу, а з 2009 року зосередилася на розробці додатків для електромобілів, включаючи головні інвертори. Для отримання додаткової інформації відвідайте офіційний веб-сайт УАЕС:www.uaes.com
Про ROHM
ROHM, провідний виробник напівпровідників і електронних компонентів, був заснований у 1958 році. Від ринків автомобільного та промислового обладнання до споживчих і комунікаційних секторів ROHM постачає мікросхеми, дискрети та електронні компоненти найвищої якості та надійності через глобальну мережу продажів і розробок. . Наші сильні сторони на ринках аналогового та енергетичного обладнання дозволяють нам пропонувати оптимізовані рішення для цілих систем, які поєднують периферійні компоненти (тобто транзистори, діоди, резистори) з найновішими силовими пристроями з SiC, а також мікросхеми драйверів, що максимізують їх продуктивність. Для отримання додаткової інформації відвідайте веб-сайт ROHM:www.rohm.com
Термінологія
IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором)
Потужний транзистор, який поєднує характеристики високошвидкісного перемикання MOSFET з низькими втратами провідності біполярного транзистора.
Втрати на провідність і комутацію
Втрати неминуче виникають у транзисторах, таких як MOSFET і IGBT, через їх особливу структуру пристрою. Втрата провідності генерується компонентом внутрішнього опору, коли струм протікає (увімкнено) через пристрій. Втрата комутації виникає, коли змінюється стан провідності пристрою (під час операції комутації).
Посилання на джерело https://finance.yahoo.com/news/uaes-rohm-hold-opening-ceremony-220000705.html?guccounter=1&guce_referrer=aHR0cHM6Ly93d3cuc291cmNlbmdpbmUuY29tLw&guce_referrer_sig=AQAAAGTO9tgr5DIKQyAXF-__wZ-qw0Q1c1ZIgknkDzKr59awqOzQ2dGoFoGkXk9djPiPxh_jB7tO8cwVYRV5sslPS24jcvRNogZxeMwZG6r0vJZ0_qKWvMZHLKLcqPLWxwnjh2b54ovyiA9cwcFEzsn2j5aoSroOaVlmhufbrTTtVRN2
