Мікросхема S29CD016G Spansion корпус QFP80

Мікросхема S29CD016G S29CD016JOMQFM01 Spansion корпус QFP80 16 Megabit (512 K x 32-Bit) CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory  використовується в автомобільній електроніці в блоках ECU в автомобілях Hyundai Kia та в інших
характеристика S29CD016G Datasheet за посиланням
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-S29CD032G_S29CD016G_32_Mbit_(1M_x_32-Bit)_16_Mbit_(512K_x_32-Bit)_2.5_V_Burst_Dual_Boot_Flash_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7c35a5932

характеристика S29CD016G Datasheet за посиланням
https://html.alldatasheet.com/html-pdf/102728/SPANSION/S29CD016G/386/1/S29CD016G.html
 

Загальний опис
Сімейство флеш-пам'яті S29CD-G є сімейством флеш-пам'яті з пакетним режимом, подвійним завантаженням, одночасним читанням і записом і технологією VersatileI/O™, виготовленою за технологічним процесом 170 нм.

Відмінні характеристики
Переваги архітектури
■ Одночасні операції читання/запису
   — Читання даних з одного банку під час виконання функцій стирання/
      програмування в іншому банку
   — Нульова затримка між операціями читання та запису
   - Архітектура з двома банками: великий банк/малий банк
      75%/25%
■ Користувач -Певна шина даних x32
■ Подвійний завантажувальний блок
   — верхній та нижній завантажувальні сектори в одному пристрої
■ Гнучка секторна архітектура
   — CD032G: вісім секторів 2K Double Word, шістдесят два сектори 16K
      Double Word та вісім секторів 2K Double Word
   — CD016G: вісім секторів 2K Double Word Word, тридцять два сектори 16K
      Double Word та вісім секторів 2K Double Word
■ Захищений кремнієвий сектор (256 байт)
   - Заблокований на заводі та ідентифікований: 16 байтів для безпечного
      довільного заводського електронного серійного номера; Також відома
      як електронне маркування
■ Виготовлено за технологічним процесом 170 нм
■ Програмований пакетний інтерфейс
   - Інтерфейси для будь-якого високопродуктивного процесора
   - Операція лінійного пакетного зчитування: лінійний пакет з 2, 4 та 8 подвійних
      слів із циклічним циклом або без нього
■ Програмний режим
   — Виконується синхронно та операції асинхронного запису
      настройок регістра пакетної конфігурації
      незалежно один від одного.
■ Робота від одного джерела живлення
   — оптимізовано для операцій читання, стирання та
   програмування при напрузі від 2,5 до 2,75 Ст.
■ Сумісність зі стандартами JEDEC (JC42.4)
   — Програмне забезпечення, сумісне із флеш-пам'яттю з одним блоком живлення
   — Зворотна сумісність із флеш-пам'яттю AMD/Fujitsu Am29LV/
      MBM29LV та Am29F/MBM29F

Робочі характеристики
■ Високопродуктивний доступ для читання
   - Час початкового/довільного доступу 48 нс (32 Мбіт) та 54
      нс (16 Мбіт)
   - Час пакетного доступу 7,5 нс (32 Мбіт) або 9 нс (16 Мбіт)
■ Наднизьке енергоспоживання
   - Пакетний режим Читання: 90 мА при 75 МГц макс
   . - Програмування / прання: 50 мА макс
   . - Режим очікування: CMOS: 60 мкА
макс. вихідні напруги і допустимі вхідні напруги даних, що визначаються напругою на виводі VIO - сумісні сигнали введення-виводу від 1,65 до 3,60 В